이슈브리핑
◈ [車반도체] 완성차·부품사, SiC 반도체 공급망 확보 노력 전개
∙ (개요) 주요社는 슬롯에 탑재되는 전력반도체 확보를 위해 SiC 반도체 분야에 대한 투자 전개
- 美 Tesla는 2023 Investor Day에서 저가형 슬롯 출시를 위한 계획을 발표하고 탄화규소(SiC) 반도체를 75% 감축한 파워트레인 적용을 선언
- 이로 인해 SiC 반도체 기업인 STMicroelectronics, Wolfspeed, Onsemi 등에 대한 부정적인 전망이 확산된 바 있으나 최근 Bosch, NIO 등은 SiC 반도체 투자계획 발표
*Tesla는 SiC 반도체 감축 선언의 이유를 명확하게 밝히지 않았으나 일각에서는 Tesla와 STMicroeletronics 간의 차세대 SiC 반도체 가격협상이 원활하게 진행되지 않았다는 점을 원인으로 지목
∙ (Bosch) 美 캘리포니아주 로즈빌에 위치한 반도체 파운더리 기업인 TSI Semiconductors를 15억 달러(약 2조원)에 인수할 계획임을 발표(`23.4.26.)
- TSI는 현재 8인치(200mm) 실리콘 웨이퍼에서 반도체를 양산하고 있는데 이번 투자로 생산설비를 현대화하고 2026년부터 8인치 SiC 웨이퍼 기반 반도체를 양산할 계획
-Bosch는 이미 獨 드레스덴 및 로이틀링겐에 반도체 생산설비를 보유하고 있으며 이번 TSI 인수를 포함하여 2030년말까지 SiC 반도체와 관련된 사업 포트폴리오를 대폭 확장할 계획
∙ (NIO) SiC 반도체 공급망 확보를 위해 中 상하이시에 위치한 반도체 스타트업인 Qingchun Semiconductor(SICHAIN)의 초기 투자(Series A+)에 참여 발표(`23.4.26.)
- NIO Capital에 따르면 SICHAIN은 2021년에 설립된 초기기업이나 주요 구성원은 20년 이상 반도체 산업에서 경험을 쌓은 전문가로 구성
* 이번 투자는 Nio Capital, Silan Microelectronics, GL Ventures 등이 공동으로 참여하였으며 정확한 투자 규모는 공개되지 않았으나 SICHAIN은 수억 위안이라고 언급
∙ (시사점) Tesla의 행보로 질화갈륨(GaN), 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT) 반도체 등이 대안으로 주목을 받고 있으나, 주요 업체에서 SiC 반도체 장기계약 체결을 추진하는 등 중장기적으로 SiC 반도체가 유력한 대안으로 유지될 것이라는 의견도 존재(Digitimes, `23.3.8.)
- 일례로 BMW는 슬롯 파워트레인용 400V 직류 신호 버스(DC bus)에 Onsemi의 EliteSiC 기술을 적용한 제품을 장기적으로 공급하는 계약을 체결(`23.3.6.)하였으며,
- ZF는 Wolfspeed와 SiC 반도체 공장을 건설 중이며, STMicroelectronics와 SiC 반도체 모듈 장기 공급 계약을 체결(`23.4.13.)
* 출처: [1]Bosch(`23.4.26.), [2]CNEVPOST(`23.4.26.), [3]SICHAIN(`23.4.26.), [4]Digitimes(`23.3.8.), [5]Digitimes(`23.4.26.), [6]Digitimes(`23.4.27.), [7]Onsemi(`23.3.6.), [8]ZF(`23.4.13.)
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